Keo RTV đáng tin cậy cho sự bảo vệ lâu dài của mô-đun năng lượng mặt trời
1/5Daisan cam kết
Thông số kỹ thuật
| Kích thước bưu kiện | 36.50cm * 26.50cm * 20.20cm |
| Tổng trọng lượng bưu kiện | 17.000kg |
Mô tả sản phẩm
Thông số sản phẩm
Không chỉ là các đặc tính silicon vượt trội Thuộc tính Chuẩn
Quy định Kết quả
Hình thức Tinh tế, đồng phục, không có bọt, không có quai bị, không có gel, không có lớp vỏ và không có lớp kết tủa Đủ điều kiện
Thời gian làm khô bề mặt (phút) ≤30 14.3
Độ cứng thụt lề bờ- ha 45~55 54.2
Thời gian đóng rắn ≥2mm/24h 3,0mm/24h
Cường độ kéo (MPa) ≥1.5 2.2
Kéo dài tại điểm giải lao(%) ≥25 377.7
Độ bền kéo (MPa) ≥0.7 2.16
Điện trở chiếu khối (Ω·cm) ≥1x10^14 5.1×10^16
Khả năng hư hỏng điện môi(kV/mm) ≥15 20.9
Kiểm tra mức độ đánh lửa Không đánh lửa Không đánh lửa
Kiểm tra chống cháy / Mức: HB
Chống lửa điện dòng cao (HAI) / PLC: 0
Kiểm tra tuổi thọ được chấp thuận
SMT-666 là một thiết bị hàn bằng silicon RTV trung tính, không ăn mòn, đơn được thiết kế rõ ràng để kết dính và hàn kín khung quang năng lượng mặt trời và hộp nối.
Tính năng
2. Tuân thủ đầy đủ các yêu cầu của chỉ thị môi trường RoHS của liên minh châu Âu
3.đã chứng nhận TUV
4.thuộc tính bắt cháy của phân loại UL94V-0.
5.quá trình đóng rắn RTV nhanh, cho phép nhanh chóng và hiệu quả Đóng rắn, nó biến thành chất lượng cao
chất đàn hồi, giúp dễ dàng xử lý và vận hành trong quá trình đóng rắn.
6.độ bám dính và khả năng tương thích tuyệt vời với phạm vi bề mặt nền rộng.
7.thuộc tính chống lão hóa, khả năng chống bức xạ cực tím và khả năng chịu được điều kiện khắc nghiệt dao động nhiệt độ, được thiết kế để hoạt động kéo dài tuổi thọ hơn 25 năm
8.đã chữa hết ở nhiệt độ từ -30ºC đến 170ºC,nhiệt độ này duy trì elasticity.it độ tuyệt vời được thiết kế để
chịu được các biến đổi nhiệt độ và lực bên ngoài, đảm bảo độ bám chắc chắn ngay cả khi ở dưới điều kiện của
biến dạng ống thu gọn gây ra bởi chênh lệch nhiệt độ hoặc lực bên ngoài.
Sử dụng thông thường
1. Sản phẩm này được xây dựng riêng cho việc hàn kín và hàn kín các khung nhôm, điểm nối
hộp và kính trong mô-đun quang điện.










