Keo tách rời UV đơn thành phần Taile 3808-2 không còn dư lượng, keo liên kết tạm thời cho quy trình xử lý wafer silicon

Mô tả ngắn

Taile 3808-2 là một thành phần băng dính làm sạch tia UV có độ sạch cao. Nó có độ bám dính ổn định để cố định tạm thời trước khi chiếu tia UV; sau khi phơi nhiễm UV 365nm, lực liên kết giảm mạnh để dễ dàng bóc và không có cặn bám trên tấm wafer. Được áp dụng rộng rãi trong quy trình xử lý tấm bán dẫn, vi điện tử và các quy trình laminage tạm thời mạ quang học.

Thông số kỹ thuật

Tính năng sản phẩm

1.lực liên kết có thể điều chỉnh: Bám dính cao để định vị chắc chắn trước khi đóng tia UV, lực tróc cực thấp sau khi phát tia UV mà không làm hỏng tấm wafer.

2.hiệu suất siêu sạch: Không có keo dư trên bề mặt phôi sau khi bị tróc, không cần vệ sinh thứ cấp cho quy trình chính xác tiếp theo.

3.lớp phủ mỏng đồng nhất: Độ nhớt ổn định phù hợp với lớp phủ mỏng 10~30μm, không bị sún hoặc tích tụ keo trong quá trình xây dựng.

4.phục hồi năng lượng thấp: Phản ứng nhiều thứ hơn hoàn chỉnh chỉ với năng lượng UV 100mJ/cm² 365nm, hiệu suất cao và không gây hư hỏng đối với vật liệu chính xác.

5.thuộc tính hóa chất ổn định: Không ăn mòn, chống ố vàng, phù hợp cho môi trường sản xuất trong phòng sạch.

Quy trình xây dựng tiêu chuẩn

1. Xử lý trước chất nền: Lau sạch kỹ các tấm wafer silicon và các bề mặt Polyoléfine để loại bỏ bụi, dầu và vết bẩn do nước; không cần sử dụng bộ định hướng.

2. Quy trình phủ: Sử dụng chế độ phủ, phân phối hoặc phủ lưỡi, kiểm soát chặt chẽ độ dày lớp phủ từ 10-30μm để tránh bong bóng và vùng không phủ.

3. Lamination & Temporary adhérence: Căn chỉnh hai chất liệu và áp dụng mẫu có độ bám dính nhẹ, ổn định và nhạy cảm với áp suất ở nhiệt độ phòng để đáp ứng nhu cầu chuyển chế biến.

4. Xử lý chấm dính tia UV: Phân tán đều lớp keo với đèn UV 365nm ở 100mJ/cm², đứng trong khoảng từ 3đến 5 phút để hoàn thành phản ứng nhiều hơn.

5.bóc vỏ & bóc vỏ: Bóc hết vật liệu polyoléfine ở tốc độ không đổi, bề mặt tấm wafer sẽ giữ sạch mà không có keo dính dư thừa nào.

Mục

Tham số

Phương pháp đóng rắn

Chiếu sáng UV

Độ nhớt(25℃)

800 ~ 1500 MPa·s

Nội dung liên tục

50%

Yêu cầu về UV Energy

100 MJ/cm² (365nm)

Độ dày màng khô

10~30 μm

Cường độ Peel chuẩn bị

10 N/inch

Phạm vi nhiệt độ hoạt động

-20℃ ~ 60℃

Đặc điểm

Không có chất cặn dư sau khi tróc, lớp phủ đồng nhất mỏng, siêu sạch, không ăn mòn chất nền

Phương pháp vệ sinh

Lau bằng thiết bị vệ sinh dung môi công nghiệp chung

Ứng dụng

Các tấm wafer silicon, chất polyoléfine tạm thời liên kết

Phạm vi ứng dụng

Bảo quản & thời hạn sử dụng

Thông số kỹ thuật

Lưu ý vận hành an toàn

Hình thức: Chất lỏng trong suốt không màu, không có các tạp chất và cặn lắng

Độ nhớt (25℃): 800 ~ 1500 MPa·s

Nội dung đặc: 50%

Bước sóng UV hiệu quả: 365nm

Năng lượng đóng rắn tiêu chuẩn: 100 MJ/cm²

Độ dày lớp phủ có thể điều khiển được: 10 ~ 30μm

Lực Peel trước khi chiếu tia UV: 10 N/inch

Peel force after UV debiding: 0.2 N/inch

Nhiệt độ môi trường áp dụng: -20℃ ~ 60℃

1.giữ tránh ánh sáng UV và ánh sáng mạnh trong khi bảo quản và vận hành để tránh hiện tượng bám dính sớm.

2. Kiểm soát độ dày lớp phủ và năng lượng UV một cách nghiêm ngặt; tham số quá mức có thể làm tổn hại đến nền trong khi không đủ thông số dẫn đến việc ghi nợ không hoàn chỉnh.

3.đeo găng tay bảo hộ trong khi vận hành. Rửa sạch bằng nhiều nước sạch sau khi keo tiếp xúc vô tình với da hoặc mắt.

4.cấm dùng keo UV một thành phần, trộn lẫn với các dung môi hoặc keo dán khác.